收藏本站
159
8024A–AVR–04/08
ATmega8HVA/16HVA
Figure 27-5. High-voltage Serial Programming Waveforms
27.8.5
Programming the EEPROM
The EEPROM is organized in pages, see ”High-voltage Serial Programming” on page 173.
When programming the EEPROM, the data is latched into a page buffer. This allows one page
of data to be programmed simultaneously. The programming algorithm for the EEPROM Data
memory is as follows (refer to Table 27-14 on page 160):
1.
Load Command “Write EEPROM”.
2.
Load EEPROM Page Buffer.
3.
Program EEPROM Page. Wait after Instr. 2 until SDO goes high for the “Page Program-
ming” cycle to finish.
4.
Repeat 2 through 3 until the entire EEPROM is programmed or until all data has been
programmed.
5.
End Page Programming by Loading Command “No Operation”.
27.8.6
Reading the Flash
The algorithm for reading the Flash memory is as follows (refer to Table 27-14 on page 160):
1.
Load Command "Read Flash".
2.
Read Flash Low and High Bytes. The contents at the selected address are available at
serial output SDO.
27.8.7
Reading the EEPROM
The algorithm for reading the EEPROM memory is as follows (refer to Table 27-14 on page
160):
1.
Load Command “Read EEPROM”.
2.
Read EEPROM Byte. The contents at the selected address are available at serial output
SDO.
27.8.8
Programming and Reading the Fuse and Lock Bits
The algorithms for programming and reading the Fuse Low/High bits and Lock bits are shown in
Table 27-14 on page 160.
27.8.9
Reading the Signature Bytes and Calibration Byte
The algorithms for reading the Signature bytes and Calibration byte are shown in Table 27-14 on
page 160.
27.8.10
Power-off sequence
Exit Programming mode by powering the device down, or by bringing RESET pin to 0V.
MSB
LSB
0123456789
10
SDI
SII
SDO
SCI
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ATSAM3N4AA-AU MCU FLASH 48-QFP
ATSAM3SD8CA-CU IC MCU 2X256KB CORTEX-M3 100-QFN
ATSAM3U1EB-CU IC MCU 64KB CORTEX-M3 144-TFBGA
ATSAM3X8EA-CU IC MCU 2X256KB CORTEX-M3 144-BGA
ATTINY12V-1SUR IC AVR MCU 1K FLASH 4MHZ 8-SOIC
ATTINY13-20SQR IC MCU AVR 1KB FLASH 20MHZ 8SOIC
ATTINY13A-MMUR MCU AVR 1KB FLASH 20MHZ 10DFN
ATTINY13V-10SUR MCU AVR 1KB FLASH 10MHZ 8SOIC
相关代理商/技术参数
ATMEGA8HVA-4CKUR 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8KB FLSH 512B EE 1KB SRAM - 4 MHZ RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
ATMEGA8HVA-4TU 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8KB, 512B EE 4MHz 1KB SRAM 1.8-9V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
ATMEGA8HVA-4TUR 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8KB FLSH 512B EE 1KB SRAM - 4 MHZ RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
ATMEGA8HVD-4MX 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8KB, 512B EE 4MHz 1KB SRAM 2.1-8V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
ATMEGA8L-8AC 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8K FLASH 512B EE 1K SRAM ADC 3V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
ATMEGA8L8AI 制造商:Atmel Corporation 功能描述:
ATMEGA8L-8AI 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 8K FLASH 512B EE 1K SRAM ADC 3V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT
ATMEGA8L-8AJ 功能描述:IC MCU AVR 8K 5V 8MHZ 32-TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:AVR® ATmega 标准包装:9 系列:87C 核心处理器:8051 芯体尺寸:8-位 速度:40/20MHz 连通性:UART/USART 外围设备:POR，WDT 输入/输出数:32 程序存储器容量:32KB（32K x 8） 程序存储器类型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:- 振荡器型:内部 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:40-DIP（0.600"，15.24mm） 包装:管件